SI2301-TP vs SI2304BDS-T1-E3
Cette comparaison détaillée des composants SI2304BDS-T1-E3 et SI2301-TP vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Description
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.6A (Ta)
2.8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
70mOhm @ 2.5A, 10V
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
4 nC @ 5 V
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
225 pF @ 15 V
880 pF @ 6 V
PowerDissipation(Max)
750mW (Ta)
1.25W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
