SBC847BDW1T1G vs SBC847CDW1T1

Cette comparaison détaillée des composants SBC847BDW1T1G et SBC847CDW1T1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SBC847BDW1T1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 7174 PCS
Package: SOT-363-6
Series: Matrice de transistors bipolaires (BJT)

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Part B

SBC847CDW1T1

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 3768 PCS
Series: Amplificateur linéaire - spécial

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Full specification comparison

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Specification	SBC847BDW1T1G	SBC847CDW1T1
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Active
Series	Automotive, AEC-Q101	-
Transistor Type	2 NPN (Dual)	-
Current - Collector(Ic)(Max)	100mA	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45V	-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	200 @ 2mA, 5V	-
Power - Max	380mW	-
Frequency - Transition	100MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Mounting Type	Surface Mount	-

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