RB751V40T1G vs RB751S40T1G

Cette comparaison détaillée des composants RB751V40T1G et RB751S40T1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification RB751V40T1G RB751S40T1G
Part Status Active Active
Diode Type Schottky Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30 V 30 V
Current - Average Rectified(Io) 30mA (DC) 30mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 370 mV @ 1 mA 370 mV @ 1 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 30 V 500 nA @ 30 V
Capacitance @ Vr F 2.5pF @ 1V, 1MHz 2.5pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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