NVMFS5113PLT1G vs NVMFS4C01NT1G Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants NVMFS4C01NT1G et NVMFS5113PLT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
NVMFS4C01NT1G

+Nomenclature

4064 PCS | Semi - conducteurs
NVMFS5113PLT1G

+Nomenclature

3739 PCS | Semi - conducteurs
Package SO-8FL-4 SO-8FL
Description MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Series Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Active
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 49A (Ta), 319A (Tc) 10A (Ta), 64A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V 14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 10144 pF @ 15 V 4400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.84W (Ta), 161W (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : NVMFS4C01NT1G NVMFS5113PLT1G

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