NVMFD5C466NLT1G vs NVMFD5877NLWFT3G

Cette comparaison détaillée des composants NVMFD5C466NLT1G et NVMFD5877NLWFT3G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification NVMFD5C466NLT1G NVMFD5877NLWFT3G
Part Status Active Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 540pF @ 25V
Power - Max 3W (Ta), 40W (Tc) 3.2W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - NVMFD5877
Grade - Automotive
Qualification - AEC-Q101
Series Automotive, AEC-Q101 -
FET Type 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 14A (Ta), 52A (Tc) -
Rds On(Max) @ Id Vgs 7.4mOhm @ 10A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 30µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 997pF @ 25V -
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