NTZD3155CT2G vs NTZD3155CT1H

Cette comparaison détaillée des composants NTZD3155CT2G et NTZD3155CT1H vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification NTZD3155CT2G NTZD3155CT1H
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 540mA, 430mA 540mA, 430mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 150pF @ 16V 150pF @ 16V
Power - Max 250mW 250mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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