NTJD4152PT1G vs NTJD4158CT2G

Cette comparaison détaillée des composants NTJD4152PT1G et NTJD4158CT2G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification NTJD4152PT1G NTJD4158CT2G
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
FET Type 2 P-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 880mA -
Rds On(Max) @ Id Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V -
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 155pF @ 20V -
Power - Max 272mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Compare Demande de devis