NCV5700DR2G vs NCV57200DR2G Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants NCV5700DR2G et NCV57200DR2G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
NCV5700DR2G

+Nomenclature

5660 PCS | Semi - conducteurs
NCV57200DR2G

+Nomenclature

9149 PCS | Semi - conducteurs
Package SOIC-16 SOIC-8
Description IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
Series Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Driven Configuration High-Side or Low-Side Half-Bridge
Channel Type Synchronous Synchronous
Gate Type IGBT IGBT
Voltage - Supply 20V 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.75V, 4.3V 0.9V, 2.4V
Current - Peak Output(Source Sink) 7.8A, 6.8A 1.9A, 2.3A
Rise / Fall Time(Typ) 9.2ns, 7.9ns 13ns, 8ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Number of Drivers - 1
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 800 V
Modèle de comparaison : NCV5700DR2G NCV57200DR2G

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