NCV5183DR2G vs NCV5104DR2G

Cette comparaison détaillée des composants NCV5183DR2G et NCV5104DR2G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification NCV5183DR2G NCV5104DR2G
Series Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 9V ~ 18V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 1.2V, 2.5V 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink) 4.3A, 4.3A 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 12ns, 12ns 85ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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