NCV33172DR2G vs NCV33152DR2G Comparaison
Cette comparaison détaillée des composants NCV33172DR2G et NCV33152DR2G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
SOIC-8
Description
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
-
Low-Side
Channel Type
-
Independent
Number of Drivers
-
2
Gate Type
-
N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
-
6.1V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH
-
0.8V, 2.6V
Current - Peak Output(Source Sink)
-
1.5A, 1.5A
Input Type
-
Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ)
-
36ns, 32ns
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Amplifier Type
General Purpose
-
Number of Circuits
2
-
Slew Rate
2.1V/µs
-
Gain Bandwidth Product
1.8 MHz
-
Current - Input Bias
20 nA
-
Voltage - Input Offset
2 mV
-
Supply Current
180µA (x2 Channels)
-
Current - Output / Channel
27 mA
-
Voltage - Supply Span(Min)
3 V
-
Voltage - Supply Span(Max)
44 V
-
