NCV33072DR2G vs NCV33152DR2
Cette comparaison détaillée des composants NCV33072DR2G et NCV33152DR2 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
SOIC-8
Description
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus
Active
Obsolete
DrivenConfiguration
-
Low-Side
ChannelType
-
Independent
NumberofDrivers
-
2
GateType
-
N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
-
6.1V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH
-
0.8V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink)
-
1.5A, 1.5A
InputType
-
Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ)
-
36ns, 32ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 85°C (TA)
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
AmplifierType
J-FET
-
NumberofCircuits
2
-
SlewRate
13V/µs
-
GainBandwidthProduct
4.5 MHz
-
Current-InputBias
100 nA
-
Voltage-InputOffset
1 mV
-
Current-Supply
1.9mA (x2 Channels)
-
Current-Output/Channel
30 mA
-
Voltage-SupplySpan(Min)
3 V
-
Voltage-SupplySpan(Max)
44 V
-
