NCP51530BDR2G vs NCP5106BDR2G

Cette comparaison détaillée des composants NCP51530BDR2G et NCP5106BDR2G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification NCP51530BDR2G NCP5106BDR2G
Part Status Active Active
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 17V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink) - 250mA, 500mA
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 85ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number NCP51530 -
Output Configuration Half Bridge (2) -
Applications General Purpose -
Interface Logic, PWM -
Load Type Inductive, Capacitive -
Technology Power MOSFET -
Current - Output / Channel 3.5A -
Current - Peak Output 3A -
Voltage - Load 700V -
Features Bootstrap Circuit -
Fault Protection UVLO -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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