MUN5330DW1T1G vs MUN5335DW1T2

Cette comparaison détaillée des composants MUN5330DW1T1G et MUN5335DW1T2 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5330DW1T1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 16706 PCS
Package: SC-88
Series: Transistors - Transistors de type bipolaire (BJT) - matrice, pré - polarisée

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Part B

MUN5335DW1T2

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 3602 PCS
Package: SC-88
Series: Transistors - Transistors de type bipolaire (BJT) - matrice, pré - polarisée

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Full specification comparison

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Specification	MUN5330DW1T1G	MUN5335DW1T2
Supplier	onsemi	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50V	50V
Resistor - Base(R1)	1kOhms	2.2kOhms
Resistor - Emitter Base(R2)	1kOhms	47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	3 @ 5mA, 10V	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 5mA, 10mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	-
Power - Max	250mW	-
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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