MUN5211DW1T1G vs MUN5216T1

Cette comparaison détaillée des composants MUN5211DW1T1G et MUN5216T1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

MUN5216T1

Semi - conducteurs

Lifecycle
Active
Stock
7378 PCS
Package
SOT-323
Series
Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - pré - polarisation unique
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Specification MUN5211DW1T1G MUN5216T1
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50 V
Resistor - Base(R1) 10kOhms 4.7 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 250mW 202 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Resistor - Emitter Base(R2) 10kOhms -
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