MUN2211T1G vs MUN2235T1G

Cette comparaison détaillée des composants MUN2211T1G et MUN2235T1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MUN2211T1G

Semi - conducteurs

Lifecycle
Active
Stock
5798 PCS
Package
SC-59
Series
Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - pré - polarisation unique
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Part B

MUN2235T1G

Trois océans

Lifecycle
Active
Stock
9667 PCS
Package
TO-236-3
Series
Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - pré - polarisation unique
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Specification MUN2211T1G MUN2235T1G
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 50 V
Resistor - Base(R1) 10 kOhms 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 10 kOhms 47 kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA 500nA
Power - Max 230 mW 230 mW
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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