MRF5812GR1 vs MRF5812G

Cette comparaison détaillée des composants MRF5812GR1 et MRF5812G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MRF5812GR1

Société megosenmei

Lifecycle: Active
Stock: 5446 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistor bipolaire (BJT) RF

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Part B

MRF5812G

Société megosenmei

Lifecycle: Active
Stock: 7617 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistor bipolaire (BJT) RF

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Full specification comparison

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Specification	MRF5812GR1	MRF5812G
Supplier	-	Microchip Technology
Part Status	Obsolete	Obsolete
Transistor Type	NPN	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	15V	15V
Frequency - Transition	5GHz	5GHz
Noise Figure(d B Typ @ f)	2dB ~ 3dB @ 500MHz	2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain	13dB ~ 15.5dB	13dB ~ 15.5dB
Power - Max	1.25W	1.25W
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	50 @ 50mA, 5V	50 @ 50mA, 5V
Current - Collector(Ic)(Max)	200mA	200mA
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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