MMBTH10LT1G vs MMBTH10-4LT1 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants MMBTH10LT1G et MMBTH10-4LT1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
MMBTH10LT1G

+Nomenclature

5390 PCS | Semi - conducteurs
MMBTH10-4LT1

+Nomenclature

5602 PCS | Semi - conducteurs
Package SOT-23-3 TO-236-3
Description RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 25V 25V
Frequency - Transition 650MHz 800MHz
Power - Max 225mW 225mW
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 60 @ 4mA, 10V 120 @ 4mA, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : MMBTH10LT1G MMBTH10-4LT1

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