MMBT5401 vs MMBT5551LT1G

Cette comparaison détaillée des composants MMBT5401 et MMBT5551LT1G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5401

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 6921 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Part B

MMBT5551LT1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 2356 PCS
Package: SOT-23-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Full specification comparison

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Specification	MMBT5401	MMBT5551LT1G
Part Status	Obsolete	Active
Transistor Type	PNP	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	600 mA	600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	150 V	160 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	500mV @ 5mA, 50mA	200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max)	50nA (ICBO)	100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	60 @ 10mA, 5V	80 @ 10mA, 5V
Power - Max	350 mW	225 mW
Frequency - Transition	300MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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