MMBT5087LT1G vs MMBT5089LT1

Cette comparaison détaillée des composants MMBT5087LT1G et MMBT5089LT1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5087LT1G

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 28578 PCS
Package: TO-236-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Part B

MMBT5089LT1

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 5755 PCS
Package: TO-236-3
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Full specification comparison

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Specification	MMBT5087LT1G	MMBT5089LT1
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	50 mA	50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	300mV @ 1mA, 10mA	500mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	250 @ 100µA, 5V	450 @ 1mA, 5V
Power - Max	300 mW	225 mW
Frequency - Transition	40MHz	50MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max)	50nA (ICBO)	-

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