MMBT3906WT1G vs MMBT3906SL

Cette comparaison détaillée des composants MMBT3906WT1G et MMBT3906SL vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBT3906WT1G MMBT3906SL
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 200 mA 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 40 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 400mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 10mA, 1V 100 @ 10mA, 1V
Power - Max 150 mW 227 mW
Frequency - Transition 250MHz 250MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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