MMBT3906LT1 vs MMBT3702

Cette comparaison détaillée des composants MMBT3906LT1 et MMBT3702 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBT3906LT1 MMBT3702
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 200 mA 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 400mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 10mA, 1V 60 @ 50mA, 5V
Power - Max 225 mW 350 mW
Frequency - Transition 250MHz 100MHz
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount