MMBFJ176 vs MMBFJ112

Cette comparaison détaillée des composants MMBFJ176 et MMBFJ112 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Full specification comparison

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Specification MMBFJ176 MMBFJ112
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) - 35 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) - 5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id - 1 V @ 1 µA
Rds On - 50 Ohms
Power - Max 225 mW 350 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number MMBFJ1 -
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 10 nA -
Rds(on) 250 Ohms -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -