MMBF4392LT1G vs MMBF4416

Cette comparaison détaillée des composants MMBF4392LT1G et MMBF4416 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Demande de devis Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MMBF4392LT1G MMBF4416
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Transistor Type - N-Channel JFET
Frequency - 100MHz
Gain - 18dB
Voltage - Test - 15 V
Current Rating (Amps) - 15mA
Noise Figure - 2dB
Current - Test - 5 mA
Voltage - Rated - 30 V
FET Type N-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 25 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 2 V @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14pF @ 15V -
Rds On 60 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Compare Demande de devis