MJD45H11RLG vs MJD45H11TM

Cette comparaison détaillée des composants MJD45H11RLG et MJD45H11TM vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MJD45H11RLG MJD45H11TM
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 8 A 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max) 1µA 10µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 4A, 1V 40 @ 4A, 1V
Power - Max 1.75 W 1.75 W
Frequency - Transition 90MHz 40MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount