MC33172DR2G vs MC33151VDR2

Cette comparaison détaillée des composants MC33172DR2G et MC33151VDR2 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
MC33172DR2G

+Nomenclature

1211 PCS | Semi - conducteurs
MC33151VDR2

+Nomenclature

2479 PCS | Semi - conducteurs
Package SOIC-8
Description IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration - Low-Side
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 6.5V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.5A, 1.5A
InputType - Inverting
Rise/FallTime(Typ) - 31ns, 32ns
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 2 -
SlewRate 2.1V/µs -
GainBandwidthProduct 1.8 MHz -
Current-InputBias 20 nA -
Voltage-InputOffset 2 mV -
Current-Supply 220µA (x2 Channels) -
Current-Output/Channel 27 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 44 V -
Modèle de comparaison : MC33172DR2G MC33151VDR2

+Nomenclature Demande de devis