MC33171DR2G vs MC33151DR2G
Cette comparaison détaillée des composants MC33151DR2G et MC33171DR2G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Package
8-SOIC
8-SOIC
Description
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
ProductStatus
Active
Active
DrivenConfiguration
Low-Side
-
ChannelType
Independent
-
NumberofDrivers
2
-
GateType
N-Channel MOSFET
-
Voltage-Supply
6.5V ~ 18V
-
LogicVoltage-VILVIH
0.8V, 2.6V
-
Current-PeakOutput(SourceSink)
1.5A, 1.5A
-
InputType
Inverting
-
Rise/FallTime(Typ)
31ns, 32ns
-
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 85°C
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
AmplifierType
-
General Purpose
NumberofCircuits
-
1
SlewRate
-
2.1V/µs
GainBandwidthProduct
-
1.8 MHz
Current-InputBias
-
20 nA
Voltage-InputOffset
-
2 mV
Current-Supply
-
220µA
Current-Output/Channel
-
27 mA
Voltage-SupplySpan(Min)
-
3 V
Voltage-SupplySpan(Max)
-
44 V
