MC33151DR2G vs MC33171DR2G

Cette comparaison détaillée des composants MC33151DR2G et MC33171DR2G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

MC33171DR2G

Semi - conducteurs

Lifecycle
Active
Stock
2683 PCS
Package
SOIC-8
Series
Amplificateurs linéaires - instruments, amplificateurs opérationnels, amplificateurs tampons
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Specification MC33151DR2G MC33171DR2G
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 6.5V ~ 18V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A -
Input Type Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 31ns, 32ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type - General Purpose
Number of Circuits - 1
Slew Rate - 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product - 1.8 MHz
Current - Input Bias - 20 nA
Voltage - Input Offset - 2 mV
Supply Current - 220µA
Current - Output / Channel - 27 mA
Voltage - Supply Span(Min) - 3 V
Voltage - Supply Span(Max) - 44 V
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