MBR30100CTF-G1 vs MBR30200CT

Cette comparaison détaillée des composants MBR30100CTF-G1 et MBR30200CT vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MBR30100CTF-G1 MBR30200CT
Supplier - Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Part Status Active Active
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V 200 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 15A 30A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 850 mV @ 15 A 900 mV @ 15 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 100 V 100 µA @ 200 V
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
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