MBR120ESFT1G vs MBR120LSFT1H

Cette comparaison détaillée des composants MBR120ESFT1G et MBR120LSFT1H vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MBR120ESFT1G MBR120LSFT1H
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Diode Type Schottky Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 20 V 20 V
Current - Average Rectified(Io) 1A 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 530 mV @ 1 A 450 mV @ 1 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 20 V 400 µA @ 20 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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