LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4444EMS8E#WPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants LTC4446EMS8E#PBF et LTC4444EMS8E#WPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
LTC4446EMS8E#PBF

+Nomenclature

8802 PCS | Analog Equipment GmbH.
LTC4444EMS8E#WPBF

+Nomenclature

2993 PCS | Analog Equipment GmbH.
Package MSOP-8 MSOP-E-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
Series - Automotive, AEC-Q100
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 7.2V ~ 13.5V
Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V 1.85V, 3.25V
Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 2.5A, 3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V 114 V
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 8ns, 5ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : LTC4446EMS8E#PBF LTC4444EMS8E#WPBF

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