LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4441IMSE#PBF

Cette comparaison détaillée des composants LTC4446EMS8E#PBF et LTC4441IMSE#PBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification LTC4446EMS8E#PBF LTC4441IMSE#PBF
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Low-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 7.2V ~ 13.5V 5V ~ 25V
Logic Voltage - VILVIH 1.85V, 3.25V 1.8V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) 2.5A, 3A 6A, 6A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 114 V -
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 5ns 13ns, 8ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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