LT1167CS8#TRPBF vs LT1160IS#TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants LT1167CS8#TRPBF et LT1160IS#TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification LT1167CS8#TRPBF LT1160IS#TRPBF
Part Status Active Active
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - N-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 10V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1.5A, 1.5A
Input Type - Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 60 V
Rise / Fall Time(Typ) - 130ns, 60ns
Operating Temperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type Instrumentation -
Number of Circuits 1 -
Slew Rate 1.2V/µs -
Gain Bandwidth Product 1 MHz -
Current - Input Bias 80 pA -
Voltage - Input Offset 20 µV -
Supply Current 900µA -
Current - Output / Channel 27 mA -
Voltage - Supply Span(Min) 4.6 V -
Voltage - Supply Span(Max) 36 V -
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