LM358DR2G vs LM358BAIDR

Cette comparaison détaillée des composants LM358BAIDR et LM358DR2G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
LM358BAIDR

+Nomenclature

2857 PCS | Texas Instruments
LM358DR2G

+Nomenclature

7716 PCS | Semi - conducteurs
Package
Description
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.5V/µs -
GainBandwidthProduct 1.2 MHz 1 MHz
Current-InputBias 10 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 2 mV
Current-Supply 300µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 32 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : LM358BAIDR LM358DR2G

+Nomenclature Demande de devis