LM358BAIDR vs LM358DG

Cette comparaison détaillée des composants LM358BAIDR et LM358DG vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM358BAIDR

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
2857 PCS
Series
Amplificateurs linéaires - instruments, amplificateurs opérationnels, amplificateurs tampons
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Part B

LM358DG

Semi - conducteurs

Lifecycle
Active
Stock
9337 PCS
Package
SOIC-8
Series
Amplificateurs linéaires - instruments, amplificateurs opérationnels, amplificateurs tampons
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Specification LM358BAIDR LM358DG
Supplier - Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Gain Bandwidth Product 1.2 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 10 nA 45 nA
Voltage - Input Offset 2 mV 2 mV
Supply Current 300µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 40 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 3 V
Voltage - Supply Span(Max) 36 V 32 V
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) 0°C ~ 70°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Slew Rate 0.5V/µs -
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