LM258DR vs LM258DRE4 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants LM258DR et LM258DRE4 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
LM258DR

+Nomenclature

5147 PCS | Texas Instruments
LM258DRE4

+Nomenclature

5066 PCS | Texas Instruments
Package SOIC-8
Description IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 0.3V/µs 0.3V/µs
Gain Bandwidth Product 700 kHz 700 kHz
Current - Input Bias 20 nA 20 nA
Voltage - Input Offset 3 mV 3 mV
Supply Current 500µA (x2 Channels) 500µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 40 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 3 V
Voltage - Supply Span(Max) 32 V 32 V
Operating Temperature -25°C ~ 85°C (TA) -25°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : LM258DR LM258DRE4

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