LM258DR vs LM258DR2

Cette comparaison détaillée des composants LM258DR et LM258DR2 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
LM258DR

+Nomenclature

5147 PCS | Texas Instruments
LM258DR2

+Nomenclature

7525 PCS | Semi - conducteurs
Package 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Description IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
GainBandwidthProduct 700 kHz 1 MHz
Current-InputBias 20 nA 45 nA
Voltage-InputOffset 3 mV 2 mV
Current-Supply 500µA (x2 Channels) 800µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V 32 V
OperatingTemperature -25°C ~ 85°C (TA) -25°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
SlewRate 0.3V/µs -
Modèle de comparaison : LM258DR LM258DR2

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