LF353DR vs LF353DRE4

Cette comparaison détaillée des composants LF353DR et LF353DRE4 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
LF353DR

+Nomenclature

7226 PCS | Texas Instruments
LF353DRE4

+Nomenclature

7629 PCS | Texas Instruments
Package SOIC-8
Description IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 3 MHz 3 MHz
Current-InputBias 50 pA 50 pA
Voltage-InputOffset 5 mV 5 mV
Current-Supply 3.6mA (x2 Channels) 3.6mA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 7 V 7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : LF353DR LF353DRE4

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