JANTX2N7236 vs JANTXV2N2857

Cette comparaison détaillée des composants JANTX2N7236 et JANTXV2N2857 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine

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Specification JANTX2N7236 JANTXV2N2857
Supplier - Microchip Technology
Series Military, MIL-PRF-19500/595 Military, MIL-PRF-19500/343
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type - NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 15V
Frequency - Transition - 500MHz
Noise Figure(d B Typ @ f) - 4.5dB @ 450MHz
Gain - 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
Power - Max - 200mW
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 30 @ 3mA, 1V
Current - Collector(Ic)(Max) - 40mA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 18A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 18A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 125W (Tc) -
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