JANTX2N2907A vs JANTX2N6796

Cette comparaison détaillée des composants JANTX2N2907A et JANTX2N6796 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

JANTX2N2907A

Technologie de micropuce

Lifecycle
Active
Stock
27557 PCS
Package
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Series
Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple
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Specification JANTX2N2907A JANTX2N6796
Supplier Microchip Technology -
Series Military, MIL-PRF-19500/291 Military, MIL-PRF-19500/557
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP -
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 60 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1.6V @ 50mA, 500mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 150mA, 10V -
Power - Max 500 mW -
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 195mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 28.51 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Power Dissipation (Max) - 800mW (Ta), 25W (Tc)
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