IXDN630YI vs IXDN614YI

Cette comparaison détaillée des composants IXDN630YI et IXDN614YI vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IXDN630YI

+Nomenclature

6062 PCS | Ixys Division circuits intégrés
IXDN614YI

+Nomenclature

3782 PCS | Ixys Division circuits intégrés
Package TO-263-6 TO-263-6
Description IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5 IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
ChannelType Single Single
NumberofDrivers 1 1
GateType IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage-Supply 12.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3.5V 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 30A, 30A 14A, 14A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) 11ns, 11ns 25ns, 18ns
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IXDN630YI IXDN614YI

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