IXDN604SITR vs IXDN602SI

Cette comparaison détaillée des composants IXDN604SITR et IXDN602SI vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IXDN604SITR

+Nomenclature

5371 PCS | Ixys Division circuits intégrés
IXDN602SI

+Nomenclature

3674 PCS | Ixys Division circuits intégrés
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 4A, 4A 2A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) 9ns, 8ns 7.5ns, 6.5ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IXDN604SITR IXDN602SI

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