IXDN604SIATR vs IXDN614SI

Cette comparaison détaillée des composants IXDN604SIATR et IXDN614SI vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IXDN604SIATR

+Nomenclature

3255 PCS | Ixys Division circuits intégrés
IXDN614SI

+Nomenclature

4557 PCS | Ixys Division circuits intégrés
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Low-Side Low-Side
ChannelType Independent Single
NumberofDrivers 2 1
GateType IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltage-Supply 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 4A, 4A 14A, 14A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) 9ns, 8ns 25ns, 18ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IXDN604SIATR IXDN614SI

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