IXDN602SIATR vs IXDN604SIA

Cette comparaison détaillée des composants IXDN602SIATR et IXDN604SIA vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IXDN602SIATR IXDN604SIA
Part Status Active Active
Digi Key Programmable - Not Verified
Driven Configuration Low-Side Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Voltage - Supply 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 4A, 4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 9ns, 8ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - IXDN604
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 3V -
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A -
Rise / Fall Time(Typ) 7.5ns, 6.5ns -
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