ISL2111BR4Z-T vs ISL2111ARTZ

Cette comparaison détaillée des composants ISL2111BR4Z-T et ISL2111ARTZ vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
ISL2111BR4Z-T

+Nomenclature

3883 PCS | Renesas Electronics, États - Unis
ISL2111ARTZ

+Nomenclature

7925 PCS | Renesas Electronics, États - Unis
Package DFN-8 WDFN-10
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 8V ~ 14V 8V ~ 14V
LogicVoltage-VILVIH 1.4V, 2.2V 1.4V, 2.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 3A, 4A 3A, 4A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V 114 V
Rise/FallTime(Typ) 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : ISL2111BR4Z-T ISL2111ARTZ

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