IRS2153DSTRPBF vs IRS21851SPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRS2153DSTRPBF et IRS21851SPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRS2153DSTRPBF

+Nomenclature

7156 PCS | Technologie Infineon
IRS21851SPBF

+Nomenclature

3972 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-8
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge High-Side
Channel Type Synchronous Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 15.4V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 180mA, 260mA 4A, 4A
Input Type RC Input Circuit Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 120ns, 50ns 15ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRS2153DSTRPBF IRS21851SPBF

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