IRS21867STRPBF vs IRS21531DSTRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRS21867STRPBF et IRS21531DSTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRS21867STRPBF IRS21531DSTRPBF
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 15.4V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V -
Current - Peak Output(Source Sink) 4A, 4A 180mA, 260mA
Input Type CMOS, TTL RC Input Circuit
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 22ns, 18ns 120ns, 50ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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