IRS21531DSTRPBF vs IRS2108STRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRS21531DSTRPBF et IRS2108STRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRS21531DSTRPBF

+Nomenclature

3173 PCS | Technologie Infineon
IRS2108STRPBF

+Nomenclature

4775 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC 8N SOIC 8N
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Synchronous Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 15.4V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 180mA, 260mA 290mA, 600mA
Input Type RC Input Circuit Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 120ns, 50ns 100ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRS21531DSTRPBF IRS2108STRPBF

+Nomenclature Demande de devis