IRS21531DSTRPBF vs IRS2103STRPBF Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants IRS2103STRPBF et IRS21531DSTRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRS2103STRPBF

+Nomenclature

5314 PCS | Technologie Infineon
IRS21531DSTRPBF

+Nomenclature

3173 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC 8N
Description IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 15.4V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V -
Current - Peak Output(Source Sink) 290mA, 600mA 180mA, 260mA
Input Type Inverting, Non-Inverting RC Input Circuit
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 70ns, 35ns 120ns, 50ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRS2103STRPBF IRS21531DSTRPBF

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