IRS2127STRPBF vs IRS2128SPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRS2127STRPBF et IRS2128SPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
IRS2127STRPBF

+Nomenclature

4633 PCS | Technologie Infineon
IRS2128SPBF

+Nomenclature

8132 PCS | Technologie Infineon
Package SOIC-8 SOIC-N-8
Description IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration High-Side High-Side
ChannelType Single Single
NumberofDrivers 1 1
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 12V ~ 20V 12V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA
InputType Non-Inverting Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : IRS2127STRPBF IRS2128SPBF

+Nomenclature Demande de devis