IRS2003STRPBF vs IRS2011SPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRS2003STRPBF et IRS2011SPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRS2003STRPBF IRS2011SPBF
Part Status Not For New Designs Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output(Source Sink) 290mA, 600mA 1A, 1A
Input Type Inverting, Non-Inverting Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 200 V 200 V
Rise / Fall Time(Typ) 70ns, 35ns 25ns, 15ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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