IRLML6402TRPBF vs IRLML6246TRPBF

Cette comparaison détaillée des composants IRLML6402TRPBF et IRLML6246TRPBF vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IRLML6402TRPBF IRLML6246TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
Base Product Number IRLML6402 -
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.7A, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V -
Vgs (Max) ±12V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633 pF @ 10 V -
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 4.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.1V @ 5µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 3.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 290 pF @ 16 V
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